本發(fā)明的磁阻效應(yīng)元件具備:第一鐵磁性層;第二鐵磁性層;以及位于上述第一鐵磁性層和上述第二鐵磁性層之間的非磁性間隔層,上述第一鐵磁性層和上述第二鐵磁性層中的至少一層包含具有半惠斯勒型晶體結(jié)構(gòu)的金屬化合物,上述金屬化合物包含
功能材料和構(gòu)成上述半惠斯勒型晶體結(jié)構(gòu)的單位晶格的X原子、Y原子和Z原子,上述功能材料比上述X原子、上述Y原子和上述Z原子中的任一原子的原子序數(shù)都小。
聲明:
“磁阻效應(yīng)元件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)