本發(fā)明公開了一種低閾值電壓有機(jī)二極管,該低閾值電壓有機(jī)二極管包括:下電極;形成于下電極之上的金屬氧化物插層;形成于金屬氧化物插層之上的有機(jī)
功能材料層;形成于有機(jī)功能材料層之上的有機(jī)材料緩沖層;以及形成于有機(jī)材料緩沖層之上的上電極。本發(fā)明還公開了一種制備低閾值電壓有機(jī)二極管的方法。利用本發(fā)明,以金屬氧化物插層來調(diào)整下電極與有機(jī)材料層的接觸勢壘,從而達(dá)到調(diào)整有機(jī)二極管的閾值電壓的效果,有效地降低了有機(jī)二極管的閾值電壓。
聲明:
“低閾值電壓有機(jī)二極管及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)