本發(fā)明公開一種柔性光電子器件的制備方法,該方法采用氧化鍺作為犧牲層,通過在氧化鍺層上沉積、圖案化多種
功能材料層,采用水作為腐蝕液剝離襯底,得到柔性光電子器件。該制備方法因氧化鍺可承受高溫、承受等離子體轟擊,所以可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量光學(xué)薄膜在高溫條件下,在等離子體轟擊誘導(dǎo)條件下的沉積和退火優(yōu)化,完成高性能柔性光電子器件的制備;且在整個(gè)柔性光電子器件制備過程中,氧化鍺遇水即溶,水作為腐蝕液最大可能避免了薄膜材料的損傷,保證了器件的完整性;本發(fā)明的方法可擴(kuò)展到多種類光學(xué)材料柔性光電子器件,可以廣泛應(yīng)用于集成光學(xué)器件、空間光學(xué)器件和電子元器件的制備。此外,該方法還可用于實(shí)現(xiàn)柔性多層波導(dǎo)集成器件。
聲明:
“柔性光電子器件的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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