本申請?zhí)峁┝艘环N帶有插入層的多量子阱發(fā)光二極管及其制備方法,在多量子阱有源層的阱層和壘層之間加入二維
功能材料插入層,其透光性好,且能阻隔外延層生長缺陷,有效避免阱層與壘層之間因生長缺陷造成的電子空穴猝滅,降低電光轉(zhuǎn)換熱損耗,同時插入層避免電子溢出,提高載流子注入效率,使發(fā)光二極管亮度高,壽命長,電光轉(zhuǎn)換效率高,節(jié)能環(huán)保。
聲明:
“帶有插入層的多量子阱發(fā)光二極管及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)