本發(fā)明涉及一種
芯片級(jí)微型核電源,包括防護(hù)層以及封裝于所述防護(hù)層內(nèi)的內(nèi)部連接電路、核電輸出電路、放射性同位素薄膜和兩個(gè)能量轉(zhuǎn)換器,兩個(gè)所述能量轉(zhuǎn)換器鏡像對(duì)稱設(shè)置于放射性同位素薄膜兩側(cè),且分別連接所述內(nèi)部連接電路和核電輸出電路,所述核電源的尺寸為厘米級(jí)別。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明將放射性同位素微尺度化,制備成薄膜,降低熔堆等危險(xiǎn),將薄膜集成在微型化的能量轉(zhuǎn)換器件上,通過(guò)
功能材料層、三明治結(jié)構(gòu)與模塊化靈活組裝,最大限度同時(shí)利用放射性同位素中的衰變熱能與電離輻射能,能夠滿足未來(lái)小型輕量化、長(zhǎng)壽命安全能源系統(tǒng)需求,解決當(dāng)前能源供給系統(tǒng)能量密度過(guò)低、使用壽命不足以及應(yīng)用范圍受限的問(wèn)題。
聲明:
“芯片級(jí)微型核電源” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)