本發(fā)明的目的是提供一種新型的白光發(fā)光元器件的制備方法。該方法的創(chuàng)新點在于器件的材料選用氮化鋁晶體,器件結(jié)構(gòu)采用簡單的三明治層疊結(jié)構(gòu)。傳統(tǒng)的白光半導體器件采用摻雜的外延氮化鎵薄膜作為發(fā)光層,再配合熒光粉二次激發(fā)混合成白光輸出。本發(fā)明的新方法直接采用氣相傳輸法制備的氮化鋁晶體材料作為
功能材料,在晶體上制備電極后直接通電發(fā)光。該方法實現(xiàn)單一材料的白光輸出,無需熒光粉的二次轉(zhuǎn)換,因此器件結(jié)構(gòu)更加簡單緊湊,晶體材料的功能層也能承載更大的功率。由于利用寬緊帶半導體氮化鋁材料禁帶內(nèi)的缺陷發(fā)光,豐富的缺陷能級導致器件的發(fā)射光譜十分豐富,能完全覆蓋整個可見光區(qū)域,光色品質(zhì)也非常出色。
聲明:
“新型白光發(fā)光元器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)