本發(fā)明涉及一種碳熱還原法合成大長徑比碳化鉿晶須的方法,采用碳熱還原法,不借助催化劑,無金屬雜質(zhì)引入,得到的HfC晶須純度較高、長徑比大,文獻報道的HfC晶須的長徑比分布在5~180,而本發(fā)明制備的HfC晶須的長徑比為50~500。與文獻報道的HfC晶須相比,本發(fā)明制備的HfC晶須的最大長徑比提高了178%。HfC晶須既可作為增強體材料制備多孔HfC晶須預制體,也可作為第二增強相應用于超高溫陶瓷基或碳基
復合材料,還可作為
功能材料用于陰極場發(fā)射器,具有廣泛的應用前景。碳熱還原法具有工藝過程簡單,參數(shù)易于控制,對設備要求低,成本低,可靠性和重復性好,易于實現(xiàn)規(guī)?;a(chǎn)HfC晶須的優(yōu)勢。
聲明:
“碳熱還原法合成大長徑比碳化鉿晶須的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)