一種巨磁阻抗薄膜材料及其制備方法,屬于
功能材料技術領域。巨磁阻抗薄膜材料由襯底基片表面彼此相間的NiFe合金薄膜層和摻Cr的NiFe合金薄膜層形成多層薄膜體系,其中NiFe合金薄膜層Ni、Fe之間的質量比為(80~81)∶(19~20);摻Cr的NiFe合金薄膜層Ni、Fe之間的質量比為(80~81)∶(19~20),且摻雜元素Cr的質量占Ni、Fe和Cr質量總和的1%~8%;NiFe合金薄膜層和摻Cr的NiFe合金薄膜層厚度不超過200納米、且數(shù)量級相當,整體厚度達到微米量級。本發(fā)明的巨磁阻抗薄膜材料采用具有不同飽和磁化強度的磁性層間隔而成,相比磁性層與非磁性層形式的錯層薄膜材料體系,其飽和磁化強度更大,從而可獲得更大的巨磁阻抗效應,為制備巨磁阻抗微傳感器提供了一種性能更為優(yōu)異的材料選擇。
聲明:
“巨磁阻抗薄膜材料及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)