本發(fā)明公開了一種鐵電存儲(chǔ)器用鐵電薄膜的紫外光輔助制備方法,屬 于微電子信息
功能材料與器件領(lǐng)域。本發(fā)明鐵電存儲(chǔ)器用PZT前驅(qū)體溶液 濃度為0.1~0.3mol/l。每次旋轉(zhuǎn)勻膠后,都對薄膜進(jìn)行烘烤并輔以均勻紫 外光輻照,光照度為10~15mW/cm2,接著進(jìn)行熱解處理,最后PZT薄膜在 550~600℃下退火處理。本發(fā)明鐵電存儲(chǔ)器用PZT鐵電薄膜為多晶薄膜, 具有良好的鐵電性能、抗疲勞性能及漏電流特性,且結(jié)晶溫度低的優(yōu)點(diǎn), 可與現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容。
聲明:
“鐵電存儲(chǔ)器用鐵電薄膜的紫外光輔助制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)