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熔鹽籽晶法生長低溫相偏硼酸鋇單晶

933   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-18 15:06:02
關于熔鹽籽晶法生長晶體的方法。用這種方法 生長的低溫相偏硼酸鋇單晶,經(jīng)全面性能測試工作, 證實該晶體是一種優(yōu)良的非線性光學、熱電等多功能 材料,其培養(yǎng)方法包括配料、下籽晶、生長三個步驟, 采用Na2O或NaF作助熔劑;籽晶的位置位于熔液 表面;籽晶取向為C軸方向;籽晶以0.03℃/小時— 0.2℃/小時的速率生長。用這種方法,可穩(wěn)定地生 長出Φ67mm,中心厚度達15毫米、呈立碗形的大單 晶。
聲明:
“熔鹽籽晶法生長低溫相偏硼酸鋇單晶” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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