本發(fā)明屬于電子
功能材料技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種低介電損耗鈦酸銅鈣薄膜的制備方法;具體步驟為:首先制備獲得CCTO前驅(qū)體溶膠;然后清洗硅片,將硅片依次浸入NaOH溶液、去離子水中和無水乙醇中,超聲振蕩,烘干、冷卻后備用;取前驅(qū)體溶膠的上層清液保溫,在密閉環(huán)境中,將清洗后的硅片于CCTO前驅(qū)體溶膠中浸漬,勻速取出,置于馬弗爐內(nèi)干燥,形成一層均勻致密的CCTO薄膜,重復(fù)操作,直至鍍完5層薄膜,得到非晶化CCTO薄膜;置于無水乙醇擦拭后的坩堝中,在空氣氣氛下進(jìn)行退火處理,冷卻得到CCTO薄膜;本發(fā)明方法操作簡(jiǎn)單,原料價(jià)格低廉、環(huán)保,制備方法簡(jiǎn)單且重復(fù)性高,介電性能優(yōu)異,具有良好的應(yīng)用價(jià)值。
聲明:
“低介電損耗鈦酸銅鈣薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)