一種基于復(fù)合硅半球/
石墨烯寬帶太赫茲超材料吸收器,屬于超材料及電磁
功能材料技術(shù)領(lǐng)域。該太赫茲超材料吸收器,包括金屬反射層、介質(zhì)層、石墨烯層和硅半球?qū)?。所述金屬反射層為一層連續(xù)的金屬薄膜,其厚度大于工作太赫茲波的趨膚深度;介質(zhì)層位于金屬反射層和石墨烯層之間,為聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜;未圖案化的石墨烯層之上負(fù)載著硅半球?qū)樱蓮?fù)合的半橢球和半圓球周期性排列而成,且每個(gè)周期包含旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的四個(gè)半橢球和中心的一個(gè)半圓球結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過(guò)合理設(shè)計(jì)硅半球的幾何尺寸以及石墨烯外加電壓值,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)垂直入射到超材料表面的電磁波完全吸收的特性。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、無(wú)需多層疊加結(jié)構(gòu),且具有寬頻帶高吸收的特性。
聲明:
“基于復(fù)合硅半球/石墨烯寬帶太赫茲超材料吸收器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)