本發(fā)明公開了一種真空熔滲法制備石墨泡沫/Cu
復合材料的方法,屬于電子封裝
功能材料領域,本發(fā)明在石墨泡沫表面施覆一層碳化鉬層以改善銅與石墨表面的浸潤性,隨后進行真空熔滲獲得銅/石墨泡沫復合材料,其中Cu在熔點以上進行熔滲,熔融的銅溶液在重力以及毛細管力的作用下填充石墨泡沫內部的孔洞,同時石墨泡沫作為增強體,具有復雜的三維結構,結構穩(wěn)定,強度高,各項力學性能均較為優(yōu)異,進而所獲得的石墨泡沫/Cu復合材料高導熱、低密度、低膨脹,且相比于傳統(tǒng)的金剛石增強銅基復合材料后期加工處理難度極低,是一種應用前景非常好的電子封裝用基體材料。
聲明:
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