本申請(qǐng)涉及
功能材料技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種調(diào)控氧化鋅的電子遷移率的方法。所述調(diào)控氧化鋅的電子遷移率的方法,包括以下步驟:制備氧化鋅,且在制備所述氧化鋅的過程中,通過控制所述氧化鋅的表面羥基量,來調(diào)控氧化鋅的電子遷移率。本申請(qǐng)?zhí)峁┑恼{(diào)控氧化鋅的電子遷移率的方法,只需要通過調(diào)控氧化表面羥基量即可實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件的載流子注入平衡或提高電子遷移率,無需改變器件結(jié)構(gòu)(插入電子阻擋層),也無需通過摻雜等手段對(duì)氧化鋅薄膜進(jìn)行改性,整個(gè)過程操作簡(jiǎn)單,成本低廉,具有良好的可重復(fù)性。
聲明:
“調(diào)控氧化鋅的電子遷移率的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)