本實(shí)用新型提供了一種基于Ge2Se2Te5的憶阻器,從上往下依次包括上導(dǎo)電電極、中間功能層和下導(dǎo)電電極,中間功能層采用Ge2Se2Te5材料。本實(shí)用新型憶阻器能夠在循環(huán)的正負(fù)電壓下進(jìn)行穩(wěn)定快速的高低阻切換,可應(yīng)用于未來高密度低功耗的非易失性存儲(chǔ)器;該器件制備工藝簡(jiǎn)單,GST作為
功能材料性能穩(wěn)定、成本低,滿足大規(guī)模量產(chǎn)的需求。
聲明:
“基于Ge2Se2Te5的憶阻器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)