本發(fā)明公開一種量子點(diǎn)薄膜及其制備方法和應(yīng)用,其中,所述量子點(diǎn)薄膜包括介質(zhì)以及分散在所述介質(zhì)中的量子點(diǎn),所述量子點(diǎn)包括量子點(diǎn)核,包覆所述量子點(diǎn)核的金屬層,包覆所述金屬層的半導(dǎo)體殼層,其中,所述金屬層中的金屬元素選自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一種或多種。本發(fā)明解決了現(xiàn)有無(wú)鎘量子點(diǎn)薄膜發(fā)光效率不高的問(wèn)題。
聲明:
“量子點(diǎn)薄膜及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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