本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的腦高級功能模擬方法,所述憶阻器包括頂電極和底電極,所述方法包括如下步驟:在所述頂電極施加脈沖信號,所述底電極接地,記錄所述憶阻器的響應電流或者電導值變化,實現(xiàn)腦高級功能的模擬;腦高級功能模擬過程簡單,不需要三端晶體管或者運算放大器等復雜器件的配合,結構簡單,易于實現(xiàn)。
聲明:
“基于憶阻器的腦高級功能模擬方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)