四棱錐構(gòu)型Cf/SiC點(diǎn)陣
復(fù)合材料平板及其制備方法,涉及點(diǎn)陣復(fù)合材料及其制備方法的領(lǐng)域。本發(fā)明要解決現(xiàn)有的金屬基和樹脂基點(diǎn)陣材料不能滿足需求,而現(xiàn)有技術(shù)中很難實(shí)現(xiàn)制備陶瓷基點(diǎn)陣復(fù)合材料的問題。四棱錐構(gòu)型Cf/SiC點(diǎn)陣復(fù)合材料平板,由上面板、下面板以及在上下面板之間以點(diǎn)陣芯子進(jìn)行周期排列的四棱錐胞元構(gòu)成。制備方法:采用經(jīng)聚碳
硅烷浸漬的
碳纖維穿插經(jīng)聚碳硅烷浸漬的碳纖維布工藝制備出四棱錐構(gòu)型Cf/SiC點(diǎn)陣復(fù)合材料平板的骨架,然后對(duì)骨架用聚碳硅烷浸漬后,固化,裂解處理,即得到四棱錐構(gòu)型Cf/SiC點(diǎn)陣復(fù)合材料平板。本發(fā)明應(yīng)用于降低噪音、屏蔽電磁輻射、抗沖擊、隔熱、降低熱傳導(dǎo)的領(lǐng)域。
聲明:
“四棱錐構(gòu)型Cf/SiC點(diǎn)陣復(fù)合材料平板及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)