四棱錐構(gòu)型Cf/SiC-ZrC仿生梯度點(diǎn)陣
復(fù)合材料平板及其制備方法,涉及點(diǎn)陣梯度復(fù)合材料及其制備方法。本發(fā)明要解決現(xiàn)有C/SiC點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)復(fù)合材料在長(zhǎng)時(shí)間極端環(huán)境下的抗氧化燒蝕性能差,高溫環(huán)境下化學(xué)穩(wěn)定性差的技術(shù)問(wèn)題。四棱錐構(gòu)型Cf/SiC-ZrC仿生梯度點(diǎn)陣復(fù)合材料平板,由上面板、下面板以及在上下面板之間以點(diǎn)陣芯子進(jìn)行梯度排列的四棱錐胞元構(gòu)成。制備方法:采用經(jīng)聚碳
硅烷等混合得到浸漬液的
碳纖維穿插經(jīng)該浸漬液的碳纖維布工藝制備出四棱錐構(gòu)型的骨架,然后對(duì)骨架用同樣的浸漬液浸漬后,固化,裂解處理即可得到。本發(fā)明應(yīng)用于降低噪音、屏蔽電磁輻射、抗沖擊、隔熱、降低熱傳導(dǎo)、抗氧化燒蝕的領(lǐng)域。
聲明:
“四棱錐構(gòu)型Cf/SiC-ZrC仿生梯度點(diǎn)陣復(fù)合材料平板及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)