本發(fā)明涉及一種制造
復合材料晶片的方法,具體地說是制造絕緣體上硅型的晶片的方法,所述方法包括以下步驟:提供初始施主襯底,在所述初始施主襯底上形成絕緣層,在所述初始施主襯底中形成預定分裂區(qū),將所述初始施主襯底粘接到操作襯底上,以及在所述預定分裂區(qū)剝離所述施主襯底,由此將所述初始施主襯底的一層轉(zhuǎn)移到所述操作襯底上,以形成復合材料晶片。為了能夠更多次再使用施主襯底,本發(fā)明提出在低于950℃,具體地說是低于900℃,優(yōu)選是在850℃或更低的溫度下執(zhí)行熱處理步驟以形成絕緣層。本發(fā)明還涉及根據(jù)本發(fā)明方法制造的絕緣體上硅型的晶片。
聲明:
“制造復合材料晶片的方法及相應的復合材料晶片” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)