本發(fā)明涉及一種涂層增強(qiáng)C/SiC復(fù)合材料的制備方法，技術(shù)方案是：在C/SiC復(fù)合材料試樣表面涂覆漿料涂層，有助于填充由預(yù)制體結(jié)構(gòu)殘留的孔隙和CVI瓶頸工藝造成的孔隙，提高復(fù)合材料致密性，并能有效緩解C/SiC復(fù)合材料與SiC保護(hù)層之間的模量失配，提高復(fù)合材料的強(qiáng)韌性。與現(xiàn)有技術(shù)C/SiC復(fù)合材料相比，二維SiC晶須涂層增強(qiáng)C/SiC復(fù)合材料室溫下彎曲強(qiáng)度為480-502MPa，二維SiC顆粒涂層增強(qiáng)C/SiC復(fù)合材料室溫下彎曲強(qiáng)度為440-470MPa，二維(SiC晶須+SiC顆粒)涂層增強(qiáng)C/SiC復(fù)合材料室溫下彎曲強(qiáng)度為485-515MPa。通過控制沉積時(shí)間控制PyC和SiC基體和保護(hù)層的厚度，通過控制漿料粘度和涂覆次數(shù)控制漿料涂層厚度，實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料結(jié)構(gòu)控制。