本發(fā)明屬于
納米材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種
復(fù)合材料及其制備方法、應(yīng)用、發(fā)光二極管及其制備方法。所述復(fù)合材料包括三氧化鉬納米顆粒以及摻雜在所述三氧化鉬納米顆粒中的鎂元素和鎳元素。該復(fù)合材料中Mg?Ni共摻雜后所形成的受主能級提高更多,受主能級的提高可以降低MoO
3的HOMO能級,最終復(fù)合材料的空穴載流子濃度得到了提高,電阻率降低,從而空穴傳輸性能得到顯著提高,將該復(fù)合材料用于量子點(diǎn)發(fā)光二極管,可以有效提高器件的顯示性能。
聲明:
“復(fù)合材料及其制備方法、應(yīng)用、發(fā)光二極管及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)