本發(fā)明提供了一種復合材料,所述復合材料包括如下式(I)所示的填充方鈷礦基體;IyCo4Sb12?(I),其中,I至少為Yb、Eu、Ce、La、Nd、Ba和Sr中的一種,0.05≤y<1,所述復合材料還包括分布在所述填充方鈷礦基體內的GaSb顆粒,其中所述復合材料中含有0.05-5mol%的GaSb顆粒。所述復合材料相比未復合納米GaSb相的熱電材料基體而言,材料的Seebeck系數(shù)大幅度提高,總熱導率略有下降,熱電性能指數(shù)ZT值在高低溫整個溫區(qū)范圍內得到大幅提高,材料的熱電轉換效率也得到較大改進。本發(fā)明工藝簡單、容易控制、產(chǎn)業(yè)化前景好。