一種用于LDMOS型功率晶體管的半導(dǎo)體封裝,其具有:一含金屬的襯底,其上直接安裝有芯片;在所述襯底上鄰近芯片安裝的引線框架絕緣體,以及安裝在所述絕緣體上并通過(guò)焊絲電連接至所述芯片的多個(gè)引線。所述襯底包括一具有由純銅層構(gòu)成的相對(duì)表面的主體,主體內(nèi)部至少部分由銅/金剛石復(fù)合材料構(gòu)成,從而起著散熱器的作用,從而提供改善的散熱效果、低熱膨脹、以及芯片的電連接。所述主體可以完全由銅/金剛石復(fù)合材料構(gòu)成,或者由具有插入其中的銅/金剛石復(fù)合材料的銅/鎢復(fù)合材料構(gòu)成。銅/金剛石復(fù)合材料由銅基質(zhì)中包含的金剛石顆粒構(gòu)成。在制作所述銅/金剛石復(fù)合材料的方法中,在金剛石顆粒上涂覆多層元素或無(wú)機(jī)化合物,并將其與干壓粘合劑混合,之后,在壓力作用下,將其壓入模具中,以形成一壓實(shí)主體。將所述主體放在一片銅上并在真空或氫氣氣氛中加熱,使粘合劑蒸發(fā)或分解,在真空或氫氣氣氛中加熱,使經(jīng)過(guò)涂覆的顆粒結(jié)合或部分燒結(jié),之后在氫氣氣氛中加熱至稍高于銅的熔點(diǎn)的溫度,從而使銅熔化并注入到結(jié)合或部分燒結(jié)的金剛石顆粒中。隨后,將所述壓實(shí)主體冷卻,并切割成所期望的形狀。