本發(fā)明涉及一種超高溫陶瓷基
復合材料及制備方法,在C/C復合材料預制體中引入B
4C,以及C的有機前驅體,固化裂解后得到C/B
4C?C預制體。之后采用反應熔體浸滲法,利用硅鉿合金和硅鋯合金熔體與B
4C?C反應,原位生成HfC?ZrC?HfB
2?ZrB
2?SiC多組分抗燒蝕基體,其中HfC與ZrC組成(Hf,Zr)C固溶體,HfB
2與ZrB
2組成(Hf,Zr)B
2固溶體,有效提高了復合材料的抗氧化燒蝕性能。制備的C/(Hf,Zr)C?(Hf,Zr)B
2?SiC復合材料超高溫陶瓷組分體積含量高,具有良好的力學性能。本方法采用真空?壓力浸漬方法,適用于(Hf,Zr)C?(Hf,Zr)B
2?SiC改性C/C和C/SiC復合材料的制備,有效提高復合材料在極端環(huán)境下的抗燒蝕能力。
聲明:
“超高溫陶瓷基復合材料及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)