本發(fā)明公開了一種用于填充垂直硅通孔TSV的
復(fù)合材料及其填充方法,其中該復(fù)合材料主要由金剛石和銅組成,金剛石的直徑小于1um,該金剛石為單晶金剛石或摻硼金剛石;填充方法是預(yù)先在TSV通孔內(nèi)濺射粘附層、阻擋層、種子層,通過復(fù)合電沉積方法沉積復(fù)合材料,再通過通電使金屬銅原子順著電流方向附著沉積至填滿TSV孔,從而在硅圓片上形成完整填充的復(fù)合材料層。本發(fā)明通過對該復(fù)合材料關(guān)鍵的內(nèi)部組成及結(jié)構(gòu),相應(yīng)填充方法關(guān)鍵的整體工藝流程設(shè)計、以及各個步驟的條件及參數(shù)進(jìn)行改進(jìn),以特定的復(fù)合材料作為通孔填充材料,并且利用特定的填充方法,可提高TSV的可靠性并有效降低其失效率,有效避免填充缺陷。
聲明:
“用于填充垂直硅通孔TSV的復(fù)合材料及其填充方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)