本發(fā)明提供了一種高介電聚合物基鈦酸鋇納米復(fù)合材料的制備方法，該方法把具有核?殼結(jié)構(gòu)的超支化聚酰胺包覆鈦酸鋇納米顆粒作為填料，把偏氟乙烯?三氟乙烯?三氟氯乙烯共聚物(PVDF?TrFE?CFE)當(dāng)作樹(shù)脂基體。制備的BT@HBP納米復(fù)合材料具有優(yōu)異的介電性能，尤其是填料含量較高時(shí)。當(dāng)鈦酸鋇的體積分?jǐn)?shù)為40‰的時(shí)候，BT@HBP40的介電常數(shù)在1kHz時(shí)高達(dá)1485.5，遠(yuǎn)高于含有相同鈦酸鋇的BT納米復(fù)合材料的介電常數(shù)(206.3)。和逾滲體系不同，BT@HBP/PVDF?TrFE?CFE復(fù)合材料即使在高填充時(shí)，依然保持足夠的擊穿強(qiáng)度，使得該材料在較低電壓下就能獲得高的儲(chǔ)能密度。本發(fā)明提供的一種高介電聚合物基鈦酸鋇納米復(fù)合材料的制備方法，制造的納米復(fù)合材料在儲(chǔ)能應(yīng)用中有一定的實(shí)用價(jià)值。