f/SiC復(fù)合材料殘余硅的方法,復(fù)合材料"> f/SiC復(fù)合材料殘余硅的方法,本發(fā)明涉及一種去除SiCf/SiC復(fù)合材料殘余硅的方法,包括以下步驟:(1)將通過熔滲工藝制備的具有一定殘余硅含量的SiCf/SiC復(fù)合材料在室溫下浸沒于氫氟酸與一種氧化性強(qiáng)酸的混合溶液中;(2)將經(jīng)酸溶液浸漬后的復(fù)合材料超聲處理,然后真空干燥處理;(3)將干燥處理后的復(fù)合材料真空浸漬于液態(tài)聚碳硅烷中,然后在1000~1500℃下高溫?zé)崽幚恚?4)通過化學(xué)氣相沉積工藝在高溫?zé)崽幚砗蟮膹?fù)合材料表面制備一層厚度為10~200μm的碳化硅封閉層。該方法可將熔滲工">
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