f/SiC復(fù)合材料殘余硅的方法,復(fù)合材料"> f/SiC復(fù)合材料殘余硅的方法,本發(fā)明涉及一種去除SiCf/SiC復(fù)合材料殘余硅的方法,包括以下步驟:(1)將通過熔滲工藝制備的具有一定殘余硅含量的SiCf/SiC復(fù)合材料在室溫下浸沒于氫氟酸與一種氧化性強(qiáng)酸的混合溶液中;(2)將經(jīng)酸溶液浸漬后的復(fù)合材料超聲處理,然后真空干燥處理;(3)將干燥處理后的復(fù)合材料真空浸漬于液態(tài)聚碳硅烷中,然后在1000~1500℃下高溫?zé)崽幚恚?4)通過化學(xué)氣相沉積工藝在高溫?zé)崽幚砗蟮膹?fù)合材料表面制備一層厚度為10~200μm的碳化硅封閉層。該方法可將熔滲工">

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去除SiCf/SiC復(fù)合材料殘余硅的方法

1037   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:21:02
本發(fā)明涉及一種去除SiCf/SiC復(fù)合材料殘余硅的方法,包括以下步驟:(1)將通過熔滲工藝制備的具有一定殘余硅含量的SiCf/SiC復(fù)合材料在室溫下浸沒于氫氟酸與一種氧化性強(qiáng)酸的混合溶液中;(2)將經(jīng)酸溶液浸漬后的復(fù)合材料超聲處理,然后真空干燥處理;(3)將干燥處理后的復(fù)合材料真空浸漬于液態(tài)聚碳硅烷中,然后在1000~1500℃下高溫?zé)崽幚恚?4)通過化學(xué)氣相沉積工藝在高溫?zé)崽幚砗蟮膹?fù)合材料表面制備一層厚度為10~200μm的碳化硅封閉層。該方法可將熔滲工藝制備的SiCf/SiC復(fù)合材料中的殘余硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)降低至0.05%以內(nèi),提高了復(fù)合材料在高溫環(huán)境下的抗蠕變性,同時提升了復(fù)合材料的使用溫度和抗氧化性,具有良好的應(yīng)用價值。
聲明:
“去除SiCf/SiC復(fù)合材料殘余硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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