本發(fā)明公開了一種新型絕緣硅
復合材料及其制備方法,所述新型絕緣硅復合材料,包含中間絕緣層;所述中間絕緣層的上表面和下表面分別設置有單晶硅片;所述中間絕緣層,包含二氧化硅基多元無機復合材料層;所述二氧化硅基多元無機復合材料層的上表面設置有第一二氧化硅膜層;所述二氧化硅基多元無機復合材料層的下表面設置有第二二氧化硅膜層;本發(fā)明的新型絕緣硅復合材料能夠保持有完整的單晶硅晶格結構,不需采用復雜昂貴設備,整體制備工藝簡單、易行、低成本;所述新型絕緣硅復合材料及其制備方法能調(diào)節(jié)所述中間絕緣層的各組分的厚度和深度分布,不需采用復雜昂貴設備,整體制備工藝簡單、易行,且制成的產(chǎn)品的電學性能優(yōu)良。
聲明:
“新型絕緣硅復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)