本發(fā)明公開一種高溫濕氧環(huán)境中SiC/PyC/SiC
復(fù)合材料內(nèi)部腐蝕形貌預(yù)測方法,基于周期性假設(shè)將真實(shí)的復(fù)合材料簡化為含微裂紋的單向復(fù)合材料單元;建立濕氧環(huán)境中SiC基體、SiC纖維和PyC界面的氧化動力學(xué)模型;基于傳質(zhì)學(xué)和氧化動力學(xué)建立裂紋通道和界面環(huán)形通道內(nèi)的質(zhì)量守恒微分方程;建立微分方程的邊界條件和連續(xù)性條件;采用四階龍格庫塔法與二分法相結(jié)合的數(shù)值解法求解氧氣濃度場和氧氣濃度梯度場,進(jìn)而求出復(fù)合材料內(nèi)部的腐蝕形貌。本發(fā)明基于氣體的質(zhì)量守恒,能夠?qū)崟r(shí)預(yù)測復(fù)合材料基體裂紋內(nèi)部氧化劑濃度、氧化層厚度、界面消耗長度以及氣流通道形貌隨時(shí)間和環(huán)境的耦合變化。
聲明:
“高溫濕氧環(huán)境中SiC/PyC/SiC復(fù)合材料內(nèi)部腐蝕形貌預(yù)測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)