本發(fā)明屬于
復合材料和抗輻照損傷結(jié)構(gòu)材料領域,具體為一種抗輻照損傷金屬納米晶/
碳納米管復合材料及其制備方法。復合材料由自支撐CNT基體以及均勻附著在其表面生長的金屬納米晶構(gòu)成,相鄰納米晶粒成取向差為1~10°的小角度傾轉(zhuǎn)晶界,晶粒尺寸≤250nm,孔隙率≥50%。制備方法包括:提供承載和加熱功能的樣品支架,在加熱條件下對其承載的CNT基底進行等離子體清洗處理;將預處理的CNT基底在0.2至2Pa氣壓(Ar氣體),20至800℃的溫度下,利用磁控濺射沉積技術(shù)制備金屬納米晶/CNT復合材料。該復合材料的厚度、成分、孔隙率等均可調(diào)控,具有高密度納米尺度孔隙,較高的電導率和彎曲柔韌性能,在高能粒子輻照下,表現(xiàn)出良好的抗損傷性能和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
聲明:
“抗輻照損傷金屬納米晶/碳納米管復合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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