本發(fā)明屬于電子材料技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種低電導(dǎo)率非磁性太赫茲屏蔽
復(fù)合材料及其制備方法。該復(fù)合材料包括有機(jī)硅橡膠與MXene的混合基底層和超薄導(dǎo)電銅層;超薄導(dǎo)電銅層為銅納米粒子構(gòu)成的金屬層。本發(fā)明采用熱壓成型、自催化化學(xué)鍍等技術(shù)手段,制備出一種具有三明治結(jié)構(gòu)的“(有機(jī)硅橡膠與MXene混合體)?Cu?(有機(jī)硅橡膠與MXene混合體)”復(fù)合材料;所制備的復(fù)合材料電氣絕緣性優(yōu)異且無磁性,但具有良好的太赫茲屏蔽性能;由于銅層與MXene層的協(xié)同復(fù)合作用,使得在未引入磁性金屬的情況下,制備的太赫茲屏蔽復(fù)合材料在0.1?2.2THz范圍內(nèi)具有超過38dB的平均屏蔽效能,而電導(dǎo)率低至0.7S/m。
聲明:
“低電導(dǎo)率非磁性太赫茲屏蔽復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)