本發(fā)明屬于
納米材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種
復(fù)合材料及其制備方法和量子點發(fā)光二極管。所述復(fù)合材料包括氧化鎳納米顆粒和結(jié)合在所述氧化鎳納米顆粒表面的乙酰丙酮鈷;其中,所述乙酰丙酮鈷中的鈷離子與所述氧化鎳納米顆粒表面的氧離子相結(jié)合。該復(fù)合材料中的乙酰丙酮鈷可以提高氧化鎳的導(dǎo)電性,減少氧化鎳納米顆粒的表面缺陷,同時Co
2+替代Ni
2+使得該復(fù)合材料體系顯示出p型摻雜的性質(zhì),因此,空穴載流子濃度得到提高,電阻率減小,從而提高了空穴的注入能力,將其用于量子點發(fā)光二極管的空穴傳輸層,可以促進電子?空穴有效地復(fù)合,降低激子累積對器件性能的影響,從而提高器件性能。
聲明:
“復(fù)合材料及其制備方法和量子點發(fā)光二極管” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)