本發(fā)明公開了基于單層二硫化鉬納米
復(fù)合材料的電存儲(chǔ)器,在玻璃基底的上表面鍍有ITO膜層,ITO膜層上設(shè)有活性層,活性層上設(shè)有金屬電極,活性層為二硫化鉬與另一種
半導(dǎo)體材料組成的納米復(fù)合材料,該納米復(fù)合材料以二硫化鉬為多體,另一種半導(dǎo)體材料的純度大于90%。本發(fā)明還公開了上述電存儲(chǔ)器的制備方法。本發(fā)明通過將二硫化鉬與另一種半導(dǎo)體材料摻雜得到的納米復(fù)合材料作為活性層,得到Flash型存儲(chǔ)器件,且存儲(chǔ)器件的性能有所提高。
聲明:
“基于單層二硫化鉬納米復(fù)合材料的電存儲(chǔ)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)