本發(fā)明屬于
納米材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種
復(fù)合材料和量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法。所述復(fù)合材料包括MoO
3納米顆粒和分散在所述MoO
3納米顆粒之間的Ag納米線。本發(fā)明提供的由MoO
3納米顆粒和Ag納米線組成的復(fù)合材料,有效結(jié)合MoO
3和Ag納米線的優(yōu)點(diǎn),可作為一種穩(wěn)定性好、空穴注入能力強(qiáng),且載流子遷移率高的空穴注入材料,該復(fù)合材料可顯著提高QLED器件的發(fā)光效率,適用于不同發(fā)光波長(zhǎng)的器件。
聲明:
“復(fù)合材料和量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)