本發(fā)明屬于
納米材料制備的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種金屬型二硫化鉬量子點(diǎn)修飾的TiN納米管陣列
復(fù)合材料及其制備方法。制備方法包括:(1)采用手動(dòng)研磨法將大尺寸半導(dǎo)體型MoS
2塊體研磨得到半導(dǎo)體型MoS
2粉末;(2)對(duì)半導(dǎo)體型MoS
2粉末進(jìn)行鋰插層處理;(3)將鋰插層處理后的半導(dǎo)體型MoS
2粉末分散在溶劑中,并進(jìn)行超聲處理,離心分離,得到金屬型MoS
2量子點(diǎn)溶液;(4)將TiN納米管陣列置于金屬型MoS
2量子點(diǎn)溶液中,然后依次進(jìn)行超聲處理、浸泡、干燥,得金屬型MoS
2量子點(diǎn)修飾的TiN納米管陣列復(fù)合材料。本發(fā)明的金屬型MoS
2量子點(diǎn)修飾的TiN納米管陣列復(fù)合材料具有優(yōu)異的電催化性能和穩(wěn)定性。
聲明:
“金屬型二硫化鉬量子點(diǎn)修飾的TiN納米管陣列復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)