本發(fā)明公開(kāi)了一種NiS/rGO
復(fù)合材料及其制備方法與在氣敏材料中的應(yīng)用。本發(fā)明在磁場(chǎng)輔助下經(jīng)高溫水浴制備出Ni納米線,經(jīng)高溫退火制得NiO納米線,通過(guò)離子交換反應(yīng)制備出NiS納米線,并將其與GO進(jìn)行復(fù)合,經(jīng)高溫還原構(gòu)筑出基于NiS/rGO復(fù)合材料的多級(jí)異質(zhì)結(jié)構(gòu),并制成氣體傳感器,在常溫下探究了器件對(duì)NO2氣體的氣敏響應(yīng)特性。硫化鎳(NiS)/還原氧化
石墨烯(rGO)復(fù)合材料氣體傳感器遵循表面電荷控制模型,還原氧化石墨烯與金屬硫化物形成的復(fù)合材料整體呈現(xiàn)半導(dǎo)體特性,電子被捕獲使得材料中電子濃度降低,空穴濃度增加,為空穴導(dǎo)電類(lèi)型,因此傳感器的電導(dǎo)率增加,電阻減小。
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