本發(fā)明公開了一種p型SiGe?SiMo
復(fù)合材料的制備方法,該方法通過在傳統(tǒng)的SiGe熱電材料中摻雜SiMo制備出新型p型SiGe?SiMo復(fù)合材料,該復(fù)合材料較傳統(tǒng)p型SiGe具有更高的電導(dǎo)率、Seebeck系數(shù)、功率因子以及熱電優(yōu)值,且該摻雜的制備方法合成速度快、簡便、效率高,應(yīng)用前景廣闊。
聲明:
“p型SiGe-SiMo復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)