本發(fā)明提供了一種中子屏蔽的聚合物
復(fù)合材料、制備方法、線材及應(yīng)用,涉及3D打印材料技術(shù)領(lǐng)域,能夠?qū)崿F(xiàn)氮化硼納米片在聚乙烯基體中的均勻分布,通過FDM打印成型為具有中子屏蔽性能的復(fù)雜形狀制件;該復(fù)合材料的組分包括:聚乙烯基體,質(zhì)量百分比為80?98.8%;氮化硼納米片,質(zhì)量百分比為1?20%;增塑改性劑,質(zhì)量百分比為0.2?2%;所述聚合物復(fù)合材料的制備過程包括:將上述原料混合后在150?190℃環(huán)境下熔融造粒得到。本發(fā)明提供的技術(shù)方案適用于3D打印以及材料制備的過程中。
聲明:
“中子屏蔽的聚合物復(fù)合材料、制備方法、線材及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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