f/SiC陶瓷基復合材料及其制備方法,復合材料"> f/SiC陶瓷基復合材料及其制備方法,一種具有復合界面的SiCf/SiC陶瓷基復合材料，其特征在于，由CVD?SiC涂層、PIP?SiC基體、復合界面以及SiC纖維組成，所述的CVD?SiC涂層是化學氣相沉積法制備的碳化硅涂層，厚度為100~500μm；所述的復合界面為BN界面、ZrO2界面、LaPO4界面以及SiC界面的其中任意兩種、三種交替周期疊加，循環(huán)周期次數(shù)為3~5次，所述的PIP?SiC基體是采用聚碳硅烷原位熱解形成的碳化硅；所述的SiC纖維占復合材料的體積比為40~60%，表面有5">

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具有復合界面的SiCf/SiC陶瓷基復合材料及其制備方法

658   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-18 15:52:02
一種具有復合界面的SiCf/SiC陶瓷基復合材料，其特征在于，由CVD?SiC涂層、PIP?SiC基體、復合界面以及SiC纖維組成，所述的CVD?SiC涂層是化學氣相沉積法制備的碳化硅涂層，厚度為100~500μm；所述的復合界面為BN界面、ZrO2界面、LaPO4界面以及SiC界面的其中任意兩種、三種交替周期疊加，循環(huán)周期次數(shù)為3~5次，所述的PIP?SiC基體是采用聚碳硅烷原位熱解形成的碳化硅；所述的SiC纖維占復合材料的體積比為40~60%，表面有5~20nm厚熱解碳層制備方法是采用不同制備工藝在碳化硅纖維表面制備多層復合界面，然后采用PIP法填充SiC基體，最后采用CVD法制備表面SiC涂層。本發(fā)明制備SiCf/SiC陶瓷基復合材料強韌性高、抗氧化能力強，制備工藝簡單。
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