本發(fā)明公開了一種二氟草酸硼酸鋰摻雜包覆SiO/C
復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用。將SiO粉末在CVD爐中進(jìn)行氣相沉積碳包覆,然后以SiO/C為核,通過在SiO/C上原位結(jié)晶生成二氟草酸硼酸鋰包覆層,獲得二氟草酸硼酸鋰摻雜包覆SiO/C復(fù)合材料,該復(fù)合材料由二氟草酸硼酸鋰原位沉積并均勻包覆在SiO/C顆粒表面構(gòu)成,碳包覆層能夠有效提高導(dǎo)電性和為SiO材料的膨脹過程中提供緩沖,而二氟草酸硼酸鋰在負(fù)極表面能形成穩(wěn)定且致密的SEI膜,不易破裂,能夠持續(xù)而有效減緩SEI膜對(duì)于鋰源的消耗,同時(shí)減少鋰枝晶生成,增加
電池材料的使用壽命和電池的高低溫性能。
聲明:
“二氟草酸硼酸鋰摻雜包覆SiO/C復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)