本發(fā)明提供了一種混雜基體SiCf/SiC
復(fù)合材料及其制備方法,所述方法包括:對(duì)SiC纖維預(yù)制件進(jìn)行預(yù)處理,并在SiC纖維預(yù)制件的表面沉積一層PyC界面層或BN界面層;將沉積界面層的SiC纖維預(yù)制件放置在SiC沉積爐中,以氫氣鼓泡三氯甲基
硅烷作為源氣,氬氣為稀釋氣體,得到沉積有CVI SiC基體的中間體;將中間體真空浸漬在聚碳硅烷溶液中,得到PIP SiC基體,同時(shí)重復(fù)PIP循環(huán)周期5~6次,即得混雜基體SiCf/SiC復(fù)合材料。本發(fā)明方法顯著降低了制備復(fù)合材料的閉孔率,提高了其致密度以及顯微組織均勻性,其力學(xué)性能、性能穩(wěn)定得到了顯著提高。
聲明:
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