本發(fā)明涉及一種低成本熔硅浸滲法制備C/SiC
復(fù)合材料的方法。該方法包括步驟:將碳?xì)只蚴珰钟?00~600℃溫度煅燒預(yù)處理;預(yù)處理后的碳?xì)只蚴珰纸肴矍璋泛团鹚崛芤褐校扛惨粚拥鸨Wo(hù)層;再浸入碳/碳化硅漿料水溶液浸滲,使碳?xì)只蚴珰挚紫吨谐錆M碳/碳化硅,置于燒結(jié)爐中,在1600-1800℃溫度下進(jìn)行一次熔融滲硅處理;再浸入液體酚醛樹脂中,然后在800-1000℃、惰性氣氛保護(hù)下碳化處理,使樹脂全部碳化,最后進(jìn)行二次熔融滲硅處理,使樹脂碳化產(chǎn)生的碳與硅全部反應(yīng)生成碳化硅,得到C/SiC復(fù)合材料。所得C/SiC復(fù)合材料致密度高、氣孔和游離硅的含量低,材料強(qiáng)度、韌性和摩擦磨損性能好,可用于制作剎車片。
聲明:
“低成本熔硅浸滲法制備 C/SiC 復(fù)合材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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