本發(fā)明公開了一種抑制內(nèi)部空間電荷的交聯(lián)聚乙烯復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用，所述復(fù)合材料由低密度聚乙烯和SiC納米粒子在交聯(lián)劑的輔助下復(fù)合而成；所述SiC納米粒子含量為1～5wt％；所述聚合物基體為低密度聚乙烯，密度分布為0.910～0.925mg/cm3，融化指數(shù)為2.1～2.2g/10min，熔點為105℃～112℃。本發(fā)明制備的XLPE/SiC復(fù)合介質(zhì)，內(nèi)部的空間電荷密度小于未添加納米粒子的交聯(lián)聚乙烯，說明SiC納米粒子能夠有效的改善交聯(lián)聚乙烯內(nèi)部的空間電荷分布，削弱電場的畸變。