1/N-AC2復(fù)合材料的方法,復(fù)合材料"> 1/N-AC2復(fù)合材料的方法,本發(fā)明屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種限域界面定向錨定Pt單原子于N?AC1/N?AC2復(fù)合材料的方法。制備步驟包括:改性SiO2與酸化g?C3N4結(jié)合,制備g?C3N4/SiO2;g?C3N4/SiO2與鹽酸多巴胺反應(yīng),制備PDA/g?C3N4/SiO2復(fù)合材料;惰性氣體下煅燒;酸/堿除去SiO2,制備N?AC1/N?AC2空心球;負(fù)載鉑單原子。本發(fā)明巧妙的利用限域界面、較低溫定向錨定單原子技術(shù),避免了常規(guī)方法中單原子的聚集失活現(xiàn)象的發(fā)生,提高了貴金屬的">

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限域界面定向錨定Pt單原子于N-AC1/N-AC2復(fù)合材料的方法

662   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 16:07:01
本發(fā)明屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種限域界面定向錨定Pt單原子于N?AC1/N?AC2復(fù)合材料的方法。制備步驟包括:改性SiO2與酸化g?C3N4結(jié)合,制備g?C3N4/SiO2;g?C3N4/SiO2與鹽酸多巴胺反應(yīng),制備PDA/g?C3N4/SiO2復(fù)合材料;惰性氣體下煅燒;酸/堿除去SiO2,制備N?AC1/N?AC2空心球;負(fù)載鉑單原子。本發(fā)明巧妙的利用限域界面、較低溫定向錨定單原子技術(shù),避免了常規(guī)方法中單原子的聚集失活現(xiàn)象的發(fā)生,提高了貴金屬的利用率,提升了材料性能。本發(fā)明工藝安全、操作簡單,可大幅降低生產(chǎn)成本,對環(huán)境幾乎沒有污染,便于大規(guī)模應(yīng)用。
聲明:
“限域界面定向錨定Pt單原子于N-AC1/N-AC2復(fù)合材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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