本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲技術領域,公開了一種
復合材料存儲四維數(shù)據(jù)的寫入和讀取方法,突破了傳統(tǒng)單光束二維數(shù)據(jù)存儲寫入模式,通過三維納米激光直寫系統(tǒng)在特殊的復合材料的聚焦激光光場微區(qū)內形成有受激熒光反應的微小空缺作為錄入的數(shù)據(jù)點,同時充分利用光盤三維空間和不同激光寫入能量下的數(shù)據(jù)點熒光發(fā)光呈線性反應關系特性,從而實現(xiàn)在物理層面上四維度存儲錄入數(shù)據(jù),目標存儲密度理論上可以提高到TB級/光盤的水平;通過特定的共焦顯微成像系統(tǒng)進行四維數(shù)據(jù)的讀取能夠防止數(shù)據(jù)層之間的信息竄擾,保證所存儲數(shù)據(jù)的讀取準確性。
聲明:
“復合材料存儲四維數(shù)據(jù)的寫入和讀取方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)