本發(fā)明提供了一種在微米盤上生長(zhǎng)鈷酸鎳納米線陣列的
復(fù)合材料、制備方法及其應(yīng)用,首先通過水熱法獲得圓盤狀的微片氧化鐵結(jié)構(gòu),再在氧化鐵上生長(zhǎng)復(fù)合鈷酸鎳納米陣列,最后高溫焙燒獲得圓盤側(cè)邊生長(zhǎng)鈷酸鎳納米陣列的復(fù)合材料,該材料由鈷酸鎳納米陣列組成的三維結(jié)構(gòu)。三維陣列結(jié)構(gòu)可以促進(jìn)電/離子傳輸,同時(shí)放射狀的陣列結(jié)構(gòu)可以提供大量活性位點(diǎn),緩解材料體積膨脹。該材料應(yīng)用于電池
負(fù)極材料,具有良好的循環(huán)穩(wěn)定性和高的比容量。而且,合成過程簡(jiǎn)單,對(duì)實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備要求低,原料易得到,費(fèi)用低,可進(jìn)行批量生產(chǎn)。
聲明:
“在微米盤上生長(zhǎng)鈷酸鎳納米線陣列的復(fù)合材料、制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)