本發(fā)明公開(kāi)了一種形貌可控的SiO
2原位包覆SiC核殼結(jié)構(gòu)納米
復(fù)合材料的制備方法,其制備方法為:以平均粒徑為1.5μm和純度為99.9%的SiC粉為原料,與一定量的PVA溶液混合攪拌、造粒;將混合了PVA溶液的SiC微粒放入壓片機(jī)中于10?40MPa的壓力下軸壓1?5min,出模后得到SiC圓片;將上步驟所得的SiC圓片放入透明密封容器中,不添加任何催化劑,僅使用混合氣體控制燒結(jié)氣氛,使用Nd∶YAG激光作為加熱源在一定功率密度下進(jìn)行燒結(jié)得到形貌可控的SiO
2原位包覆SiC核殼結(jié)構(gòu)納米復(fù)合材料,所用激光束直徑為1?5mm,功率密度為0.1?10kW/mm
2,掃描速度為120?600mm/min,燒結(jié)時(shí)間為1?60s。本發(fā)明優(yōu)點(diǎn):合成工藝簡(jiǎn)單,操作方便,成本低廉,可控性好,產(chǎn)率高。
聲明:
“形貌可控的二氧化硅原位包覆碳化硅核殼結(jié)構(gòu)納米復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)