本發(fā)明涉及一種磁控濺射法制備GaN/導(dǎo)電基體
復(fù)合材料的方法,該復(fù)合材料為GaN,具體制備方法為:將純度為99.99%GaN靶材和金屬襯底分別安置于濺射腔中,靶材與襯底距離D=7cm;對腔體進(jìn)行抽真空,V≥1×10-7Torr;對襯底進(jìn)行加熱,并將其溫度保持在25~700℃;利用磁控濺射對靶材進(jìn)行轟擊,在金屬襯底上沉積生長GaN。所制備GaN直接生長在導(dǎo)電基體上,與基體結(jié)合緊密;所制備樣品中GaN為均勻的納米顆粒,平均尺寸在40nm;所制備GaN可作為鋰離子電池
負(fù)極材料,具有較高充、放電容量和較低的充、放電平臺。
聲明:
“磁控濺射法制備GaN/導(dǎo)電基體復(fù)合材料的方法及其在鋰離子電池上的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)