本發(fā)明屬于光通訊、光電子技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種層狀插層改性
復(fù)合材料及其實(shí)現(xiàn)負(fù)折射的方法。本發(fā)明通過直接反應(yīng)法、離子交換法、分子嵌入法、剝離重組法、納米粒子直接插層法、納米粒子原位生成法等插層方法向?qū)訝畈牧蠁尉Р牧现胁迦虢饘偌{米顆粒等,從而增強(qiáng)層狀單晶材料的各向異性,使層狀復(fù)合材料的介電矩陣為非正定矩陣而實(shí)現(xiàn)負(fù)折射。本發(fā)明從電磁波基本理論出發(fā),提出了一種全新的實(shí)現(xiàn)電磁波負(fù)折射的方法,可以使工作頻率提高到光頻,同時(shí)簡化了制備工藝,降低了成本,具有重要的學(xué)術(shù)意義和應(yīng)用價(jià)值。
聲明:
“層狀插層改性復(fù)合材料及其實(shí)現(xiàn)負(fù)折射的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)